掩膜制作方法

摘要

本发明提供了掩膜制作方法，以提高掩膜质量，该方法包括步骤：提供电路原始图形；在电路原始图形之间添加辅助图形，以提高图形密度分布的均匀度；提供包含不透光层与相位移层的基板；将电路原始图形及辅助图形构成的整个图形转移至所述不透光层上，形成不透光层图形；用光刻胶覆盖不透光层图形中的辅助图形区域，并暴露出不透光层图形中的原始图形区域；干法刻蚀所述暴露出的原始图形区域下的相位移层，将不透光层图形中的原始图形转移至相位移层，形成相位移层图形；去除所述光刻胶及不透光层。

主权项

一种掩膜制作方法，包括：提供电路原始图形；在电路原始图形之间添加辅助图形，辅助图形及原始图形构成的整个图形中，原始图形最小主图形线宽与任意两相邻图形的间隔距离的比例范围为1∶1～1∶2，以提高图形密度分布的均匀度，所述辅助图形及原始图形均为透光型图形；提供包含不透光层与相位移层的基板；将电路原始图形及辅助图形构成的整个图形转移至所述不透光层上，形成不透光层图形；用光刻胶覆盖不透光层图形中的辅助图形区域，并暴露出不透光层图形中的原始图形区域；干法刻蚀所述暴露出的原始图形区域下的相位移层，将不透光层图形中的原始图形转移至相位移层，形成相位移层图形；去除所述光刻胶及不透光层。