场发射型电子源及其制造方法

摘要

场发射型电子源具有在由玻璃衬底构成的绝缘衬底(11)的一个表面(前表面)侧上形成的多个电子源元件(10a)。各电子源元件(10a)包括下部电极(12)、由形成在下部电极(12)上的非晶硅层构成的缓冲层(14)、在该缓冲层(14)上形成的多晶硅层(3)、在该多晶硅层(3)上形成的强电场漂移层(6)、以及在该强电场漂移层(6)上形成的表面电极(7)。该场发射型电子源可以降低电子发射性能的面内变化。

主权项

一种场发射型电子源，包括绝缘衬底和在该绝缘衬底的一个表面侧形成的电子源元件，所述电子源元件具有：下部电极；表面电极；和强电场漂移层，该强电场漂移层包括多晶硅并位于下部电极和表面电极之间，根据向下部电极和表面电极施加特定电压以使表面电极的电势比所述下部电极的电势更高时所产生的电场，所述强电场漂移层使电子经此穿过，所述场发射型电子源包括：位于强电场漂移层和下部电极之间的缓冲层，该缓冲层的电阻大于多晶硅的电阻，并且该缓冲层由薄膜构成，该薄膜形成在所述绝缘衬底的所述表面侧的全部面积上，所述全部面积包括与下部电极重叠的面积和不与下部电极重叠的面积。