| 发明名称 | 硅基延时可调光延迟线及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种硅基延时可调光延迟线，包括：一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；两调谐电极，该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。 | ||
| 申请公布号 | CN102393550A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110364951.3 | 申请日期 | 2011.11.17 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李运涛;俞育德;余金中 |
| 分类号 | G02B6/28(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I;H04B10/12(2006.01)I | 主分类号 | G02B6/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种硅基延时可调光延迟线，包括：一输入波导及一直通端，该输入波导及直通端之间通过一第一弯曲波导连接；一上载端及一下载端，该上载端及下载端之间通过一第二弯曲波导连接；一光学谐振腔，该光学谐振腔位于输入波导、直通端、上载端和下载端之间，并与输入波导、直通端、上载端和下载端形成耦合；两调谐电极，该两调谐电极分别位于第一弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧或该两调谐电极分别位于第二弯曲波导与光学谐振腔的耦合处的两侧。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||