退火晶片、退火晶片的制造方法以及器件的制造方法

摘要

本发明提供一种退火晶片及退火晶片的制造方法，该退火晶片是对自单晶硅棒切割出来的单晶硅晶片实施急速热处理而成，该单晶硅棒通过CZ法培育而成，且由整个横剖面为OSF区域、或整个横剖面为OSF区域外侧的N区域、或这些区域混合而成的区域构成，其中，退火晶片在距表面至少1μm的深度范围内不存在RIE缺陷，TDDB特性的合格率为80％以上，且由于表面的向外扩散导致氧浓度下降的区域的深度为距表面3μm以内。由此，可提供一种晶片，该晶片尽可能地不会导致由于向外扩散引起的表层氧浓度的下降，可充分确保表层的强度，同时不存在氧析出物和如COP、OSF核的与氧相关的缺陷等，也不存在原生缺陷，且TDDB特性优异。

主权项

一种退火晶片，是对自单晶硅棒切割出来的单晶硅晶片实施急速热处理而成的退火晶片，所述单晶硅棒是通过柴氏长晶法培育而成，且由整个横剖面为OSF区域、或整个横剖面为OSF区域的外侧的N区域、或是这些区域混合而成的区域所构成，该退火晶片的特征在于，距晶片表面至少1μm的深度范围内不存在RIE缺陷，TDDB特性的合格率为80％以上，且由于表面的向外扩散而导致氧浓度下降的区域的深度是距晶片表面3μm以内。