| 发明名称 | 非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%-2.74%之间。将碳纳米管加入到铟盐-锌盐复合胶体溶液中，制备出碳纳米管/铟盐-锌盐复合胶体溶液，利用旋涂工艺，制备出高性能氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜，再经后续热退火、光刻、刻蚀、再光刻以及电极的蒸镀和剥离制备出高迁移率氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜场效应晶体管。通过对一些工艺的优化，成功制备出高场效应迁移率的氧化铟锌/纳米管，并且具备极高的机械性能。本实验成本低廉，实验条件要求低，实验结果的可重复性高，且可实现大规模批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102394242A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110385435.9 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 武汉大学 | 发明人 | 廖蕾;刘曰利;刘兴强;陈文;贺彪 |
| 分类号 | H01L29/24(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人 | 汪俊锋 |
| 主权项 | 一种非晶氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜晶体管，其特征在于，以柔性氧化铟锌/碳纳米管复合薄膜为半导体沟道层，在复合薄膜中，碳纳米管和氧化铟锌的质量比在0.027%‑2.74%之间。 | ||
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||