发明名称 导体层形成用组合物及导体基板、以及导体基板的制造方法
摘要 本发明提供一种导体层形成用组合物、使用其的导体基板及其制造方法,所述导体层形成用组合物能够形成导电性优异的导体层,并且在形成导体层时,工序数量少,且无需高温下的处理,制造成本低。所述导体层形成用组合物包含下述式(1)所示的金属络合物。<img file="dpa00001446911300011.GIF" wi="908" he="435" />
申请公布号 CN102396037A 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201080016815.9 申请日期 2010.04.05
申请人 旭化成电子材料株式会社 发明人 清水克也
分类号 H01B5/14(2006.01)I;C23C18/16(2006.01)I;C23C18/28(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;H05K3/12(2006.01)I;H05K3/18(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 1.一种导体层形成用组合物,其包含下述式(1)所示的金属络合物,<img file="FPA00001446911400011.GIF" wi="900" he="435" />式(1)中,R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>各自独立地表示氢原子、羧基、烷氧基羰基、氰基、甲酰基、酰基、硝基、亚硝基、烷基、链烯基、环烷基、芳烷基、芳基、羟基、巯基、烷硫基、烷氧基、卤素原子或氨基;对于R<sup>1</sup>、R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>、R<sup>4</sup>及R<sup>5</sup>,可以是它们中的至少2个彼此键合而形成饱和环或不饱和环,也可以各自独立地具有从式(1)所示的化合物脱离1个氢原子而成的1价基团作为取代基;M表示选自由Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Co、Rh、Fe、In及Sn组成的组中的任一种以上的金属;n表示1~6的整数。
地址 日本东京都