发明名称 | 一种基于RF-LDMOS的宽带功率放大器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于RF-LDMOS的宽带功率放大器,多个窄带功率放大器共用一个输入信号,输出为一个引脚或多个引脚组成。本发明所对应的宽带功率放大器中每个窄带的功率放大器不需要单独的输入和输出引脚,而是通过共用输入或输出引脚的方式,减少了引脚数目,降低了芯片成本。输入、输出信号可以通过开关电路或其他转换电路切入与其频段对应的窄带功率放大器。开关选择电路、转换电路可采用RF-LDMOS的工艺平台进行改进,通过增加几层光刻板来实现CMOS器件,从而实现开关选择电路、转换电路功能。同时,利用RF-LDMOS的高增益和高的击穿电压,可以提供功率放大器更高的输出功率。 | ||
申请公布号 | CN102394574A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
申请号 | CN201110322260.7 | 申请日期 | 2011.10.21 |
申请人 | 昆山华太电子技术有限公司 | 发明人 | 曾大杰;余庭;张耀辉;赵一兵 |
分类号 | H03F3/193(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/193(2006.01)I |
代理机构 | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人 | 董建林 |
主权项 | 一种基于RF‑LDMOS的宽带功率放大器,包含多个集成的不同频率段的窄带功率放大器,其特征是,所述多个窄带功率放大器共用一个输入信号。 | ||
地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市周庄镇秀海路188号 |