在半导体上进行光引发的镀覆的方法

摘要

揭示了一种在半导体上进行光引发镀镍的方法。所述方法包括以初始光强度施加有限时间量的光照，然后在镀覆周期的剩余时间内减小光强度，从而在半导体上沉积镍。

主权项

一种在半导体上进行光引发的镀覆方法，其包括：a)提供掺杂的半导体，该半导体包括正面和背面，所述正面是n掺杂的，包括减反射层，所述减反射层具有图案化的开口，使得减反射层下方的半导体的n掺杂的正面的一部分裸露出来，背面包括金属涂层；b)使得所述掺杂的半导体与镀镍组合物接触；以及c)以初始光强度对掺杂的半导体施加光照预定的时间量，然后在镀覆周期的剩余时间将初始光强度减小到预定的量，从而在掺杂的半导体的n掺杂的正面的裸露部分上沉积镍层。