通过低温实现选择性生长含Ge材料层的方法

摘要

本发明提出一种通过低温实现选择性的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区；和采用化学气相淀积CVD在不通入HCl的低温条件下在所述外延区中形成含Ge材料层。在本发明实施例中，通过低温方式外延含Ge材料层，这样在较低的温度下，外延材料在介质层之上的成核几率会大大降低，从而不通入HCl气体就可以实现很好的选择性，避免出现由于通入HCl气体所引起的污染等问题。

主权项

一种通过低温实现选择性生长含Ge材料层的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成介质层；光刻并刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成一个或多个用于生长所述含Ge材料层的外延区；对所述外延区内裸露的衬底进行清洗及高温活化处理；和采用化学气相淀积CVD在不通入HCl气体的低温条件下在所述外延区中形成含Ge材料层，其中，所述对外延区内裸露的衬底进行高温活化处理包括：进行700‑1100℃的高温烘烤2‑30min；和降温至外延温度并稳定。