曝光装置和使用该曝光装置的半导体器件制造方法

摘要

当用多个激光器进行半导体膜的退火时，各个激光辐照区域之间的距离是不同的。在该步骤之后，当根据预先在基板上所形成的标记进行光刻步骤时，并没有对用激光使之结晶的那部分进行适当的曝光。通过将激光辐照步骤中所获得的激光辐照区域作为标记，便可通过步进电机使曝光位置与激光辐照区域中的大晶粒尺寸区域相一致进行曝光。通过利用在大晶粒尺寸区域和弱结晶区域之间散射光强是不同的这一事实，便可检测出大晶粒尺寸区域和弱结晶区域，由此确定曝光的位置。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：向基板上的半导体膜发射激光光束，以形成多个在激光光束散射强度方面各不相同的区域；向所述半导体膜发出光线，以便在传感器中接收所述半导体膜上反射的光；用所述反射的光获得散射强度；用所述散射强度来检测所述多个区域；以及，进行曝光，使得光源的位置与所述多个区域中的一个任意区域相一致，蓝光或具有比蓝光波长要短的波长的光被用作所述光线。