发明名称 用于EUV 波长范围的反射镜、包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜、以及包括这种投射物镜的用于微光刻的透射曝光设备
摘要 本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜,所述反射镜包括施加在基底上的层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”),每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包括由不同材料构成的两个单独层,用于高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”),并且在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3),所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离。所述反射镜的特征在于最远离所述基底的层子系统(P’”)的周期(P3)的数目(N3)大于第二远离所述基底的层子系统(P”)的周期(P2)的数目(N2),并且/或者,最远离所述基底的层子系统(P”’)的高折射率层(H’”)的厚度与第二远离所述基底的层子系统(P”)的高折射率层(H”)的厚度偏离超过0.1nm。本发明还涉及包括这种反射镜的用于微光刻的投射物镜,并且还涉及包括这种投射物镜的投射曝光设备。
申请公布号 CN102395907A 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201080016694.8 申请日期 2010.03.19
申请人 卡尔蔡司SMT有限责任公司 发明人 H-J.保罗;G.布朗;S.米古拉;A.多多克;C.扎克泽克
分类号 G02B5/08(2006.01)I;G21K1/06(2006.01)I 主分类号 G02B5/08(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种用于EUV波长范围的反射镜,所述反射镜包括施加在基底上的层布置,其中所述层布置包括多个层子系统(P”、P’”),每个层子系统由多个单独层的至少一个周期(P2、P3)的周期序列构成,其中所述周期(P2、P3)包括高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)的两个单独层,所述高折射率层(H”、H’”)和低折射率层(L”、L’”)由不同材料构成,并且所述周期(P2、P3)在每个层子系统(P”、P’”)内具有恒定厚度(d2、d3),所述恒定厚度(d2、d3)与相邻层子系统的周期的厚度偏离,其特征在于:对于一入射角区间,所述反射镜在13.5nm波长处具有大于35%的反射率以及小于或等于0.25、尤其是小于或等于0.23的PV值的反射率变化,所述入射角区间选自以下入射角区间组:从0°到30°、从17.8°到27.2°、从14.1°到25.7°、从8.7°到21.4°、以及从2.5°到7.3°。
地址 德国上科亨