| 发明名称 | 芯片上慢波结构、制造方法以及设计结构 | ||
| 摘要 | 提供芯片上慢波结构，其使用多个具有接地电容结构的平行信号路径，并且提供其制造方法以及设计结构。所述慢波结构(10)包括多个导体信号路径(12)，其被设置为基本上平行布置。所述结构还包括第一接地电容线或线组(16)，其位于所述多个导体信号路径下方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径。第二接地电容线或线组(18)位于所述多个导体信号路径上方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径。接地平面(14)将所述第一和第二接地电容线或线组接地。 | ||
| 申请公布号 | CN102396103A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201080016593.0 | 申请日期 | 2010.03.18 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 王国安;W·伍兹 |
| 分类号 | H01P9/00(2006.01)I | 主分类号 | H01P9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 一种慢波结构，包括：多个导体信号路径，其被设置为基本上平行布置；第一接地电容线或线组，其位于所述多个导体信号路径下方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径；第二接地电容线或线组，其位于所述多个导体信号路径上方，且被设置为基本上正交于所述多个导体信号路径；以及接地平面，将所述第一和第二接地电容线或线组接地。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||