一种液相自组装法制备Sm₂S₃薄膜图案化的方法

摘要

一种液相自组装法制备Sm2S3薄膜图案化的方法，向去离子水中分别加入SmCl3·6H2O、乙二胺四乙酸和硫脲后调节pH值至2.0-6.0得前驱液；将羟基化的硅基板置于OTS的甲苯溶液中浸泡后干燥得OTS硅基板；将OTS硅基板用光掩膜覆盖，放在紫外线照射仪中，紫外光照辐后得到图案化的硅基板；将图案化后的硅基板置于前驱液中，真空干燥箱中沉积制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中干燥得Sm2S3纳米薄膜。本发明以十八烷基三氯硅烷(OTS)为表面活性剂，采用紫外光照射仪作为光刻蚀设备，利用短波紫外光对OTS-SAMs进行表面改性及图案化刻蚀，得到微米级图案，操作方便，原料易得，制备成本较低。

主权项

一种液相自组装法制备Sm2S3薄膜图案化的方法，其特征在于：1)取0.1‑3.5g的分析纯的SmCl3·6H2O置于烧杯中，向烧杯中加入10‑60mL的去离子水搅拌均匀得溶液A；2)向溶液A中加入0.01‑1.00g的乙二胺四乙酸，常温下磁力搅拌均匀得溶液B；3)向溶液B中加入0.1‑10.0g分析纯的硫脲(CH4N2S)搅拌均匀得溶液C；4)用氨水调节溶液C的pH值至2.0‑6.0得前驱液D；5)将羟基化的硅基板置于体积浓度为1～2％的OTS(十八烷基三氯硅烷)的甲苯溶液中在室温下浸泡10～60min，取出后分别用丙酮、四氯化碳冲洗，然后用氮气吹干，在氮气气氛中，于100～140℃干燥10～30min得OTS硅基板；6)将干燥的OTS硅基板用光掩膜覆盖，放在紫外线照射仪中，紫外光辐射波波长184.9nm，在一个大气压下，保持照射距离为1～3cm照射30～360min，使没有覆盖光掩膜部分的OTS头基的烷基在紫外光的光激发下进行羟基化转变，得到图案化的硅基板；7)将图案化后的硅基板置于前驱液D中，将烧杯放入真空干燥皿中，抽真空，然后将真空干燥皿置于干燥箱中，在40～80℃下沉积10‑50h制备硫化钐薄膜，将制备好的薄膜置于真空干燥箱中60～90℃干燥得Sm2S3纳米薄膜。