发明名称 闪存的编程验证优化方法
摘要 本发明公开一种闪存的编程验证优化方法,该闪存具有第一存储单元与第二存储单元,包括如下步骤:对该第一存储单元进行编程;均衡字线电压与该第二存储单元的位线电压,完成后断开;均衡该字线电压与该第二存储单元的控制栅电压,完成后断开;均衡该字线电压与该第一存储单元的控制栅电压,完成后断开;以及进行验证操作,本发明通过对原先进行放电的电压经过均衡处理,不仅减少了电荷的浪费,而且有效的优化了编程验证速度。
申请公布号 CN102394108A 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201110257443.5 申请日期 2011.09.01
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军
分类号 G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种闪存的编程验证优化方法,该闪存具有第一存储单元与第二存储单元,该第一存储单元与该第二存储单元共用一字线,该方法至少包括如下步骤:步骤一,对该第一存储单元进行编程;步骤二,均衡字线电压与该第二存储单元的位线电压,完成后断开;步骤三,均衡该字线电压与该第二存储单元的控制栅电压,完成后断开;步骤四,均衡该字线电压与该第一存储单元的控制栅电压,完成后断开;以及步骤五,进行验证操作。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号