发明名称 |
闪存的编程验证优化方法 |
摘要 |
本发明公开一种闪存的编程验证优化方法,该闪存具有第一存储单元与第二存储单元,包括如下步骤:对该第一存储单元进行编程;均衡字线电压与该第二存储单元的位线电压,完成后断开;均衡该字线电压与该第二存储单元的控制栅电压,完成后断开;均衡该字线电压与该第一存储单元的控制栅电压,完成后断开;以及进行验证操作,本发明通过对原先进行放电的电压经过均衡处理,不仅减少了电荷的浪费,而且有效的优化了编程验证速度。 |
申请公布号 |
CN102394108A |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
申请号 |
CN201110257443.5 |
申请日期 |
2011.09.01 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨光军 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种闪存的编程验证优化方法,该闪存具有第一存储单元与第二存储单元,该第一存储单元与该第二存储单元共用一字线,该方法至少包括如下步骤:步骤一,对该第一存储单元进行编程;步骤二,均衡字线电压与该第二存储单元的位线电压,完成后断开;步骤三,均衡该字线电压与该第二存储单元的控制栅电压,完成后断开;步骤四,均衡该字线电压与该第一存储单元的控制栅电压,完成后断开;以及步骤五,进行验证操作。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |