发明名称 | 用于抛光半导体层的组合物 | ||
摘要 | 包含用于限制互连金属去除的腐蚀抑制剂且具有酸性pH的水性抛光组合物。该组合物包含与构成的包含有机物的铵盐,R1,R2,R3和R4是原子团,R1具有2至15个碳原子的碳链长度。该包含有机物的铵盐具有一定浓度,该浓度可加速TEOS的去除而减少至少一种选自SiC,SiCN,Si3N4和SiCO的覆层的去除。 | ||
申请公布号 | CN1609156B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
申请号 | CN200410055841.9 | 申请日期 | 2004.08.04 |
申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 刘振东;J·曲安慈 |
分类号 | C09G1/04(2006.01)I | 主分类号 | C09G1/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
主权项 | 水性抛光组合物,以重量百分数计,所述组合物包含:具有用硝酸、硫酸、盐酸或磷酸调节的2‑4的酸性pH;0.05‑15的胶态二氧化硅研磨剂颗粒;0.1‑5的过氧化氢;0.25‑1苯并三唑;以及0.001‑3的包含有机物的铵盐,所述包含有机物的铵盐选自硝酸四乙铵,氟化四丁铵和它们的混合物。 | ||
地址 | 美国特拉华 |