发明名称 用于抛光半导体层的组合物
摘要 包含用于限制互连金属去除的腐蚀抑制剂且具有酸性pH的水性抛光组合物。该组合物包含与构成的包含有机物的铵盐,R1,R2,R3和R4是原子团,R1具有2至15个碳原子的碳链长度。该包含有机物的铵盐具有一定浓度,该浓度可加速TEOS的去除而减少至少一种选自SiC,SiCN,Si3N4和SiCO的覆层的去除。
申请公布号 CN1609156B 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN200410055841.9 申请日期 2004.08.04
申请人 CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 发明人 刘振东;J·曲安慈
分类号 C09G1/04(2006.01)I 主分类号 C09G1/04(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 朱黎明
主权项 水性抛光组合物,以重量百分数计,所述组合物包含:具有用硝酸、硫酸、盐酸或磷酸调节的2‑4的酸性pH;0.05‑15的胶态二氧化硅研磨剂颗粒;0.1‑5的过氧化氢;0.25‑1苯并三唑;以及0.001‑3的包含有机物的铵盐,所述包含有机物的铵盐选自硝酸四乙铵,氟化四丁铵和它们的混合物。
地址 美国特拉华