一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法

摘要

本发明涉及太阳能电池的生产方法技术领域，公开一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法。它的工艺步骤如下：将制绒后的硅片进行均匀的高浓度扩散，在扩散后硅片表面的PSG层的非电极区上印刷腐蚀性浆料，加热后腐蚀性浆料会腐蚀扩散区，然后用碱溶液清洗掉残余的腐蚀性浆料，用腐蚀性浆料腐蚀掉的非电极区即为低浓度扩散区，而未被腐蚀的电极区即为高浓度扩散区。该工艺避免了两次扩散复杂工艺，省去一次高温过程，无需增加额外的设备，腐蚀性浆料腐蚀过程精确可控，腐蚀温度低，工艺简单，成本低，且能提高太阳能电池光电转换效率，能够适用于大规模生产。

主权项

一种一次扩散实现选择性发射区制备的方法，其特征在于包括如下步骤：将制绒后的硅片进行均匀的高浓度扩散，在扩散后硅片表面的PSG层的非电极区上印刷腐蚀性浆料，加热后腐蚀性浆料会腐蚀扩散区，然后用碱溶液清洗掉残余的腐蚀性浆料，用腐蚀性浆料腐蚀掉的非电极区即为低浓度扩散区，而未被腐蚀的电极区即为高浓度扩散区。