| 发明名称 | MIM电容器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种MIM电容器，该MIM电容器包括：衬底；形成于该衬底表面的金属屏蔽层；形成于该金属屏蔽层上的第一金属层；围绕该第一金属层形成的第一隔离层；形成于该第一金属层上的绝缘介质层；以及形成于该绝缘介质层上的第二金属层，该第二金属层通过接触孔与该绝缘介质层连接，通过本发明，不仅使得单元电容间的相互影响非常小，而且充分减小了寄生电容，从而减小了寄生电容对使用该电容器的ADC性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102394249A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110176520.4 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张志军 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种MIM电容器，至少包括：衬底；形成于该衬底表面的金属屏蔽层；形成于该金属屏蔽层上的第一金属层；围绕该第一金属层形成的第一隔离层；形成于该第一金属层上的绝缘介质层；以及形成于该绝缘介质层上的第二金属层，该第二金属层通过接触孔与该绝缘介质层连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||