发明名称 一种微电子加速度传感器
摘要 一种微电子加速度传感器,在玻璃衬底的上方中心设置一与玻璃衬底存有间距并开有通孔的单晶硅质量块,设置四条悬浮折叠梁,其一端分别联接悬浮质量块左、右的四个角,另一端分别连接左、右四个对称布置的单晶硅锚区,设置左、右四个对称布置的悬浮单晶硅感温梁,每个感温梁均为一条粗细不同的折弯梁,首、尾端分别连接各自的单晶硅锚区,在悬浮质量块左右两侧的中点各联接一根朝向相反、水平设置的悬浮单晶硅锁头,在锁头的上下两侧各设有一个与之相配的悬浮单晶硅锁存钩,各锁存钩与各自的单晶硅锚区连接,在悬浮质量块通孔下方对位的玻璃衬底上表面设有金薄膜层,所有的单晶硅锚区均生根于玻璃衬底上表面。
申请公布号 CN202177638U 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201120244168.9 申请日期 2011.07.12
申请人 东南大学 发明人 秦明;蔡春华
分类号 G01P15/125(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 主分类号 G01P15/125(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 一种微电子加速度传感器,其特征在于:以玻璃衬底为芯片基板,在玻璃衬底上表面的上方中心,设置一与玻璃衬底上表面存有间距的单晶硅质量块,单晶硅质量块上、下表面之间设有间隔、阵列布置的通孔,设置左右两侧对称的各2条单晶硅折叠梁,各侧的2条单晶硅折叠梁对称分列于单晶硅质量块水平中心线上下两侧,各条单晶硅折叠梁的一端分别悬浮对应联接单晶硅质量块左、右的四个对称角,各条单晶硅折叠梁的另一端分别悬浮对应连接左、右各两个上下对称于单晶硅质量块水平中心线的单晶硅锚区;在单晶硅折叠梁的外侧,设置左右对称的各两组上下对称于单晶硅质量块水平中心线的单晶硅锚区,每组设有3个单晶硅锚区,3个单晶硅锚区中,位于外侧的锚区与中间的锚区之间悬浮连接一条单晶硅感温梁,该感温梁分为粗细两段,在粗细两段连接处折弯,粗段在外侧,其端点连接外侧的锚区,细段之端点连接中间的锚区,内侧的锚区悬浮连接一条水平单晶硅锁存钩,其钩头背面与单晶硅感温梁的折弯点活动铰支联接;在单晶硅质量块左右两侧的中点各悬浮联接一根朝向相反、水平设置的单晶硅锁头杆,其锁头部位与锁存钩钩头匹配;与单晶硅质量块上各通孔对位的玻璃衬底上表面区域设有金属薄膜层,单晶硅质量块的下表面构成电容上极板,玻璃衬底上表面上各区域的金属薄膜层之间导线连接后构成电容下极板,电容上、下极板均设有引出线;所有的单晶硅锚区均生根于玻璃衬底上表面。
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