一种蓝光LED结构

摘要

本实用新型公开了一种蓝光LED结构,包括蓝宝石底层，所述蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层、n-GaN:SI接触层、AI0.1Ga0.9N:Mg保护层、InGaN/GaN发光层、p-AI0.1Ga0.9N:Mg保护层和p-GaN:Mgp型电接触层；所述n-GaN:SI接触层连接有n型电极；所述p-GaN:Mgp型电接触层连接有p型电极。该蓝光LED结构具有抗静电能力强、没有漏电流、可靠性高、光效高等优点，可以应用到生产线上进行大批量生产。

主权项

一种蓝光LED结构,包括蓝宝石底层，其特征在于:所述蓝宝石底层的上表面为由凸部和凹部间隔设置所形成的凹凸面；所述蓝宝石底层的上方自下而上依次设置有氮化镓缓冲层、n‑GaN:SI接触层、AI0.1Ga0.9N:Mg保护层、InGaN/GaN发光层、p‑AI0.1Ga0.9N:Mg保护层和p‑GaN:Mg p型电接触层；所述n‑GaN:SI接触层连接有n型电极；所述p‑GaN:Mg p型电接触层连接有p型电极。