| 发明名称 | 具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体 | ||
| 摘要 | 提供了用于绝缘体上的硅结构的方法和装置，包括：玻璃衬底；一层半导体材料；设置在玻璃衬底和半导体材料之间约60nm至约600nm之间的沉积阻挡层，其中玻璃衬底和半导体材料经由电解接合在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN101248515B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN200680030849.7 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | J·G·库亚德;K·P·盖德卡瑞 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种玻璃上的半导体结构的形成方法，包括：在玻璃衬底和半导体晶片中的至少一个上直接或间接的沉积总厚度在100nm至600nm之间的一个或多个阻挡层；在所述半导体晶片中形成剥离层；形成包括所述半导体晶片、所述剥离层、所述一个或多个阻挡层以及所述玻璃衬底的中间结构；利用电解接合所述中间结构；以及将应力施加到所述剥离层使得所述接合的剥离衬底、阻挡层和剥离层从所述半导体晶片分离。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||