构造晶片浅沟道隔离槽的方法

摘要

本发明公开了一种构造晶片浅沟道隔离槽的方法，所述晶片包括单晶硅构成的硅基底，以及硅基底的上表面按照预定的图样依次覆盖的衬垫氧化物层和氮化硅层，该方法包括如下步骤：A、将所述晶片置于反应室内，对所述晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域进行蚀刻，构造出浅沟道隔离槽的结构；B、对所述氮化硅层进行各向同性蚀刻，使得氮化硅层在水平方向上退后预定距离，使得浅沟道隔离槽侧壁的边角暴露出来；对晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域的表面进行等离子体处理，使得所述表面一定厚度的单晶硅转变为多晶硅；C、对所述晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域进行表面氧化处理。本发明方案可以有效地增加浅沟道隔离槽边角的曲率半径。

主权项

一种构造晶片浅沟道隔离槽的方法，所述晶片包括单晶硅构成的硅基底，以及硅基底的上表面按照预定的图样依次覆盖的衬垫氧化物层和氮化硅层，该方法包括如下步骤：A、将所述晶片置于反应室内，对所述晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域进行蚀刻，构造出浅沟道隔离槽的结构；B、对所述氮化硅层进行各向同性蚀刻，使得氮化硅层在水平方向上退后预定距离，使得浅沟道隔离槽侧壁的边角暴露出来；C、对所述晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域进行表面氧化处理；其特征在于，在所述步骤B和步骤C之间，进一步包括：对晶片未被衬垫氧化物层和氮化硅层覆盖的硅基底区域的表面进行等离子体处理，使得所述表面一定厚度的单晶硅转变为多晶硅。