| 发明名称 |
场发射元件及其制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种场发射元件，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层。本发明还涉及一种场发射元件的制备方法，其包括以下步骤：提供一支撑体线材；在该支撑体线材外表面形成一碳纳米管场发射层；按照预定长度切割该外表面形成有碳纳米管场发射层的支撑体线材，并在切割后对其进行表面处理，形成场发射元件。 |
| 申请公布号 |
CN101093764B |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
| 申请号 |
CN200610061305.9 |
申请日期 |
2006.06.23 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
刘亮;姜开利;范守善;陈清龙;李锡福;陈杰良 |
| 分类号 |
H01J1/304(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I;C01B31/02(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种场发射元件，其特征在于，该场发射元件包括一支撑体线材及一包覆在该支撑体线材外表面的碳纳米管场发射层，该碳纳米管场发射层由带状碳纳米管薄膜包覆于支撑体线材外表面形成。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号 |
