| 发明名称 | 炭化硅半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种可以缩短牺牲氧化膜的去除所需的时间，并且可以降低对炭化硅层的表面的损伤的炭化硅半导体装置的制造方法。该炭化硅半导体的制造方法具备：(a)对炭化硅层进行离子注入的工序；(b)对离子注入后的所述炭化硅层进行活性化退火的工序；(c)通过干蚀刻去除活性化退火后的所述炭化硅层的表层的工序；(d)对干蚀刻后的所述炭化硅层的表层进行牺牲氧化来形成牺牲氧化膜的工序；以及(e)通过湿蚀刻去除所述牺牲氧化膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102396069A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN200980158694.9 | 申请日期 | 2009.09.01 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 松野吉德;大塚健一;油谷直毅;黑田研一;渡边宽;鹿间省三 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 崔成哲 |
| 主权项 | 一种炭化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：(a)对炭化硅层进行离子注入的工序；(b)对离子注入后的所述炭化硅层进行活性化退火的工序；(c)通过干蚀刻去除活性化退火后的所述炭化硅层的表层的工序；(d)对干蚀刻后的所述炭化硅层的表层进行牺牲氧化来形成牺牲氧化膜的工序；以及(e)通过湿蚀刻去除所述牺牲氧化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||