半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够抑制杂质离子被注入的范围和带电粒子被注入的范围之间的相对位置的偏离。该半导体装置的制造方法具有：杂质离子注入工序，在将掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下照射杂质离子；带电粒子注入工序，在将掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，通过照射带电粒子而形成低寿命区。从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：杂质离子注入工序，通过在将具有厚度较薄的第1部分和厚度厚于第1部分的第2部分的掩膜、或具有由贯穿孔形成的第1部分和预定厚度的第2部分的掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下，从杂质离子照射装置朝向半导体基板照射n型或p型的杂质离子，从而穿过了第1部分的杂质离子被注入到半导体基板内；带电粒子注入工序，通过在将与杂质离子注入工序中所使用的掩膜相同的掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，从带电粒子照射装置朝向半导体基板照射带电粒子，从而穿过了第1部分和第2部分中的至少一方的带电粒子被注入到半导体基板内，由此在注入了带电粒子的范围内的半导体基板中形成有载流子寿命被缩短化了的低寿命区；其中，从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序中的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。