发明名称 阵列式发光二极管
摘要 本实用新型公开了一种阵列式发光二极管,其以透明绝缘基板作为连接载体,以导电粘合层为连接导体,替代现有正装阵列LED中的绝缘层上跨接金属连接线设计,以连接各单体LED芯片,透明绝缘基板置顶作为出光面。本实用新型的阵列式发光二极管不存在跨接技术的短路和断路等电连接风险,具有更高的可靠性。另外,本实用新型仍为正装结构的阵列式LED,因此可以通过在蓝宝石衬底背面镀高反射率的氧化物反射器(如DBR、ODR等)来增强芯片取光效率,相比于倒装结构中的金属反射电极具有更高的反射率和取光。
申请公布号 CN202178253U 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201120173150.4 申请日期 2011.05.27
申请人 厦门市三安光电科技有限公司 发明人 潘群峰;吴志强;林科闯
分类号 H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L25/075(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种阵列式发光二极管,包括:蓝宝石衬底;第一发光元件,其包含形成于同一平面的第一电极和第二电极,形成于蓝宝石衬底之上;第二发光元件,其与第一发光元件电隔离,包含形成于同一平面的第一电极和第二电极,形成于蓝宝石衬底之上;透明绝缘基板置顶作为出光面,所述透明绝缘基板通过导电粘合层与第一发光元件和第二发光元件形成粘合,并且所述导电粘合层仅电连接第一发光元件的第一电极和第二发光元件的第二电极。
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