发明名称 |
一种基于强互耦效应的八角环平面双极化宽带相控阵天线 |
摘要 |
本发明公开了一种基于强互耦效应的八角环平面双极化宽带相控阵天线,它包含印制在超薄介质层上的辐射单元层和引向单元层,辐射单元层和引向单元层均由呈周期性排列的八角环单元构成。所述的辐射单元层中的八角环天线单元末端分别向相邻的八角环天线单元末端延伸,形成可以增强单元间电容耦合量的交指电容。本发明提供的八角环天线单元尤其适合超宽带双极化平面相控阵天线的设计。 |
申请公布号 |
CN102394349A |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
申请号 |
CN201110191066.X |
申请日期 |
2011.07.08 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
杨仕文;陈益凯;龚雪;熊伟;郑丽;罗伟;李冰;聂在平 |
分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I;H01Q1/38(2006.01)I;H01Q19/10(2006.01)I;H01Q21/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01Q1/36(2006.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
刘兴亮 |
主权项 |
一种基于强互耦效应的八角环平面双极化宽带相控阵天线,它包括由周期排布的八角环单元构成的引向单元层(101),由具有强电容耦合效应的八角环天线单元构成的辐射单元层(102),分别对双极化进行馈电的不平衡‑平衡阻抗变换结构104,天线级反射地(103)以及馈线级反射地105. |
地址 |
611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号 |