| 发明名称 | 浅沟槽内绝缘材料高度的确定方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种浅沟槽内绝缘材料高度的确定方法，包括下列步骤：提供绝缘材料高度不同的浅沟槽隔离结构；模拟绝缘材料在不同高度时，浅沟槽内绝缘材料对半导体衬底产生的机械压应力；当机械压应力为最小时，对应的浅沟槽内绝缘材料高度选定为最佳值。本发明选取最佳的绝缘材料高度，能使浅沟槽边缘的凹陷程度最佳，产生的漏电流最小。 | ||
| 申请公布号 | CN101728291B | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN200810201172.X | 申请日期 | 2008.10.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种浅沟槽内绝缘材料高度的确定方法，其特征在于，包括下列步骤：提供绝缘材料高度不同的浅沟槽隔离结构；模拟绝缘材料在不同高度时，浅沟槽内绝缘材料对半导体衬底产生的机械压应力；当机械压应力为最小时，对应的浅沟槽内绝缘材料高度选定为最佳值。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||