半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种在相对侧上具有布线层级的半导体器件和制造具有到器件的接触和在相对侧上的布线层级的半导体结构的方法。该方法包括在绝缘体上硅衬底上制造器件，该绝缘体上硅衬底具有到器件的第一接触和第一侧上的到第一接触的布线层级，去除下硅层以暴露掩埋氧化层、穿过掩埋氧化层形成到器件的第二接触并在掩埋氧化层上形成到第二接触的布线层级。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括如下步骤：在绝缘体上硅衬底中形成一个或多个器件，所述衬底包括在上硅层与下硅层之间的掩埋氧化层和所述上硅层的顶面上的金属前介电层；在所述金属前介电层的顶面上形成一个或多个第一布线层级，所述第一布线层级的每个布线层级包括相应介电层中的导电导线；从所述衬底上去除所述下硅层以暴露所述掩埋氧化层的底面；形成到所述器件的导电第一接触，一个或多个所述第一接触从所述金属前介电层的所述顶面延伸到所述器件，所述第一布线层级的最下方布线层级的一个或多个导线与所述第一接触进行物理和电接触；形成到所述器件的导电第二接触，一个或多个所述第二接触从所述掩埋氧化层的所述底面延伸到所述器件；以及在所述掩埋氧化层上形成一个或多个第二布线层级，所述第二布线层级的每个布线层级包括相应介电层中的导电导线，所述第二布线层级的最下方布线层级的一个或多个导线与所述第二接触进行物理和电接触；在所述上硅层的区域中形成介电沟槽隔离，所述沟槽隔离从所述上硅层的所述顶面延伸到所述掩埋氧化层；其中，所述器件包括场效应晶体管，该场效应晶体管包括在所述上硅层中形成的源极/漏极，以及在所述上硅层之上形成并且通过栅极介电层而与所述上硅层分离的栅电极；其中，形成一个或多个器件的步骤包括在所述源极/漏极和所述栅电极的顶面上形成导电金属硅化物层；以及其中，至少一个所述第一接触从所述金属前介电层的所述顶面延伸到所述沟槽隔离以便与所述第二接触的相应接触进行物理和电接触，所述相应接触从所述掩埋氧化层的所述底面延伸穿过所述沟槽隔离。