采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷，普适性强，可淀积2微米以上的薄膜，薄膜应力小，抗腐蚀性能好。

主权项

一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火；其中，所述步骤2具体包括：将真空室抽真空至10‑2Pa以下，通入工艺气体，该工艺气体包含有NH3、N2和体积比为5％的SiH4，其中，SiH4的流量为600～900sccm，NH3的流量为20～55sccm，N2的流量为1200～1960sccm，气压保持在70～120Pa，稳定10秒钟后采用高于100W的射频功率起辉，在样品上开始淀积氮化硅薄膜，淀积时间25分钟，淀积厚度为1微米以上的氮化硅薄膜，薄膜应力小于50MPa，薄膜在体积比为HF∶NH4F∶DI Water＝1∶2∶3的BHF溶液中的腐蚀速率为340～500埃/分钟。