形成穿透硅通孔的方法

摘要

本发明提供了一种形成具有穿透硅通孔(TSV)的半导体器件的方法。包括以下步骤：提供在其上形成有第一电介质层的半导体器件。在该第一电介质层上形成一个或多个电介质层，由此，每一个电介质层具有一个堆叠结构，其中一个或多个电介质层中的堆叠结构的垂直对齐。堆叠结构可能是，例如，金属环。该堆叠结构然后被去除从而形成第一凹口。由第一凹口延伸到到衬底中形成第二凹口。在第二凹口中填充导电物质从而形成TSV。

主权项

一种形成半导体器件的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，其上形成有半导体器件；在该半导体衬底上形成第一电介质层；在第一电介质层中形成第一互连部件，该第一互连部件被电耦合到半导体器件；在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中形成第二互连部件；在第二电介质层中形成一堆叠结构；去除堆叠结构，从而在第二电介质层中形成第一凹口；通过把第一凹口延伸到半导体衬底的至少一部分中从而形成第二凹口；和用导电材料填充第二凹口。