发明名称 晶片加工用带
摘要 本发明提供一种晶片加工用带(10),其具有:长条状的分型膜(11);粘接剂层(12),其设于分型膜(11)的第一表面(11a)上且具有平面形状;粘合膜(13),其具备:具有平面形状的标签部(13a)与包围标签部(13a)的外侧的周边部(13b);支承构件(14),其设于与分型膜(11)的第一表面(11a)相反的第二表面(11b)且位于分型膜(11)的短边方向两端部,其中,支承构件(14)的线膨胀系数为300ppm/℃以下。
申请公布号 CN101569002B 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN200880001288.7 申请日期 2008.07.16
申请人 古河电气工业株式会社 发明人 丸山弘光;田口收三;佐久间登;盛岛泰正;石渡伸一
分类号 H01L21/683(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/683(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李贵亮
主权项 一种晶片加工用带,其特征在于,其具有:长条状的分型膜;粘接剂层,其设于所述分型膜的第一表面上且具有规定的平面形状;粘合膜,其具有标签部与周边部,所述标签部以覆盖所述粘接剂层且在所述粘接剂层的周围与所述分型膜接触的方式而设置且具有规定的平面形状,所述周边部包围所述标签部的外侧,支承部件,其设于所述分型膜的与设有所述粘接剂层及粘合膜的第一表面相反的第二表面上,并且设置于所述分型膜的短边方向两端部,且设置在与所述分型膜接触的所述标签部的区域涉及到的所述第一表面的区域对应的区域,其中,所述支承部件的线膨胀系数与所述分型膜的线膨胀系数之差为250ppm/℃以下。
地址 日本东京都