碳化硅单晶的制造装置和碳化硅单晶的制造方法

摘要

本发明公开了碳化硅单晶的制造装置(1)，其包括：反应容器主体(11)，上部开口且于底部(11a)容纳升华用原料(50)；和盖体(12)，覆盖该反应容器主体(11)的上部开口(11b)；和筒状的引导构件(70)，设置在上述反应容器主体(11)内，在晶种(60)生长形成碳化硅单晶时引导该碳化硅单晶生长。引导构件(70)以可分离成第1分割体和第2分割体的方式构成。

主权项

一种碳化硅单晶的制造装置，其特征在于，其包括：反应容器主体，上部开口，于底部容纳升华用原料；和盖体，覆盖该反应容器主体的上部开口，并且在背面侧配设晶种；和筒状的引导构件，设置在所述反应容器主体内，将所述升华用原料升华而得到的原料气体引导至晶种，并且在所述晶种生长形成碳化硅单晶时引导碳化硅单晶生长，所述引导构件由多个分割体构成。