| 发明名称 | 场效应晶体管和显示器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及场效应晶体管和显示器。所述场效应晶体管至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极。所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In-Al-O形成。所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。 | ||
| 申请公布号 | CN102394248A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110374817.1 | 申请日期 | 2008.12.02 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩崎达哉;板垣奈穗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 杨国权 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，其至少包括沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极和栅极电极，其中，所述沟道层由包含In和Al的非晶氧化物材料In Al O形成，以及其中，所述非晶氧化物材料的通过Al/(In+Al)表达的元素比为大于等于0.15且小于等于0.45。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||