| 发明名称 | 防止晶圆表面形成固体颗粒的方法 | ||
| 摘要 | 一种防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，包括：在采用二氯硅烷作反应物形成氧化硅层或氮化硅层的薄膜后，在反应腔体内通入第一气体，除去所述反应腔体内残留的二氯硅烷；向所述反应腔体通入第二气体，除去反应腔体内表面沉积的薄膜。利用第一气体除去反应腔体中的残余的二氯硅烷，不会形成有固体颗粒并附着在所述反应腔体内表面，不会在下一次沉积薄膜时，在沉积形成的薄膜表面形成有固体颗粒，且通过降温通入第二气体，使得所述反应腔体内表面的薄膜能被气流剥落掉，不会掉落在下一次沉积的晶圆表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102394222A | 申请公布日期 | 2012.03.28 |
| 申请号 | CN201110379486.0 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李占斌;郭国超 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种防止晶圆表面形成固体颗粒的方法，其特征在于，包括：在采用二氯硅烷作反应物形成氧化硅层或氮化硅层的薄膜后，在反应腔体内通入第一气体，除去所述反应腔体内残留的二氯硅烷；向所述反应腔体通入第二气体，除去反应腔体内表面沉积的薄膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||