发明名称 一种叠层太阳能电池及其制造方法
摘要 本发明公开了一种新型的基于带有透明导电膜的玻璃衬底的宽光谱吸收范围的大面积a-Si:H/poly-Si叠层太阳能电池及制造方法,该电池采用a-Si:H和poly-Si不同带隙结构材料作为吸收层,组成glass/TCO/a-Si:H/poly-Si/AZO/Al叠层结构。增强对太阳光光谱的吸收,极大的提高了太阳能电池的光电转化效率,改善了太阳能电池的质量和性能。其中poly-Si的沉积采用新的气源SiCl4/H2,实现低温高速沉积,并使用单室大面积沉积技术,实现poly-Si和a-Si:H在同一个PECVD设备内连续成膜,解决了a-Si和poly-Si制备方法不兼容的问题。制造该电池的工艺技术加工耗能少,生产成本低,适合大规模工业化生产。
申请公布号 CN101964368B 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN200910158205.1 申请日期 2009.07.21
申请人 深圳市宇光高科新能源技术有限公司 发明人 吴文基;郑泽文;刘丽娟
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人 徐国文
主权项 一种叠层太阳能电池,该电池以带有透明导电膜(2)的玻璃(1)为衬底,在带有透明导电膜的玻璃衬底上由下至上依次为顶电池、底电池和背电极,其特征在于:所述顶电池是由p1层(3)、i1层(4)和n1层(5)构成的氢化非晶硅顶电池;所述底电池是由p2层(6)、i2层(7)和n2层(8)构成的多晶硅底电池;所述底电池的i2层(7)是以SiCl4和H2为气源,采用13.56MHZ的射频电源,150~250℃的沉积温度制作而成。
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