Procedimiento para controlar la resistividad en lingotes hechos de silicio de carga de alimentación compensado

摘要

Un procedimiento para controlar la resistividad en la formación de un lingote de silicio, que comprende las etapas de:preparar una carga de alimentación de silicio metalúrgico mejorado y compensado para ser fundida con el fin de formar una fundición de silicio, comprendiendo dicha carga de alimentación de silicio metalúrgico mejorado y compensado un semiconductor predominantemente de tipo p;evaluar las concentraciones de boro y fósforo en dicha carga de alimentación de silicio metalúrgico mejorado y compensado; añadir a dicha carga de alimentación de silicio metalúrgico mejorado y compensado, antes de la fundición, una cantidad predeterminada de un elemento o elementos del grupo que consiste en aluminio, galio, mezclas de aluminio y galio, u otros elementos del Grupo III, en la que dichas concentraciones relativas de boro y fósforo determinan dicha cantidad predeterminada; fundir dicha carga de alimentación de silicio metalúrgico mejorada y dicha cantidad predeterminada de dicho elemento para formar una solución de silicio fundida que incluye dicha cantidad predeterminada de dicho elemento;y realizar una solidificación direccional de dicha solución de silicio fundida para formar un lingote de silicio y, en virtud de dicha adición de dicha cantidad predeterminada de dicho elemento, reducir la pérdida de rendimiento a nivel de un lingote, en virtud de la reducción del efecto de los diferentes coeficientes de segregación de boro y fósforo.