首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Method for forming etching barrier by using shadow effect and method for fabricating one side contact of vertical transistor
摘要
申请公布号 KR101129030(B1) 申请公布日期 2012.03.23
申请号 KR20100066268 申请日期 2010.07.09
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com