Dichtringstruktur mit Metallpad

摘要

Ein Verfahren enthält: Bereitstellen eines Substrats mit einem Dichtringbereich und einem Schaltkreisbereich; Ausbilden einer Dichtringstruktur über dem Dichtringbereich; Ausbilden einer ersten vorderseitigen Passivierungsschicht über der Dichtringstruktur; Ätzen einer vorderseitigen Öffnung in der ersten vorderseitigen Passivierungsschicht benachbart zu einem äußeren Bereich der Dichtringstruktur; Ausbilden eines vorderseitigen Metallpads in der vorderseitigen Öffnung, um das vorderseitige Metallpad mit dem äußeren Bereich der Dichtringstruktur zu koppeln; Ausbilden einer ersten rückseitigen Passivierungsschicht unter der Dichtringstruktur; Ätzen einer rückseitigen Öffnung in die erste rückseitige Passivierungsschicht benachbart zum äußeren Bereich der Dichtringstruktur; und Ausbilden eines rückseitigen Metallpads in der rückseitigen Öffnung, um das rückseitige Metallpad mit dem äußeren Bereich der Dichtringstruktur zu koppeln. Außerdem werden Halbleitervorrichtungen angegeben, die durch solch ein Verfahren hergestellt werden.