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Leistungshalbleitermodul mit: einem keramischen Träger (9), der zumindest auf einer Seite eine strukturierte Metallisierung (50) mit einem kleinsten Strukturabstand von kleiner oder gleich 800μm aufweist, einem ersten Halbleiterchip (10), der ein Leistungshalbleiterbauelement umfasst und der auf der strukturierten Metallisierung (50) angeordnet ist, einem zweiten Halbleiterchip (20), der eine Ansteuerelektronik zur Ansteuerung des ersten Halbleiterchips (10) umfasst und der auf der strukturierten Metallisierung (50) angeordnet ist, wenigstens einer Dünndraht-Bandverbindung (2, 3) mit einem Bonddrahtdurchmesser (d2, d3) von kleiner oder gleich 75μm, die zwischen der strukturierten Metallisierung (50) und dem zweiten Halbleiterchip (20) ausgebildet ist, wobei der erste Halbleiterchip (10) einen Steueranschluss (13) aufweist, der über einen kernlosen Transformator (80–83) mit einem Ausgang des zweiten Halbleiterchips (20) verbunden ist.
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