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Schottkydiode mit einem Halbleiterkörper (1, 2) des einen Leitungstyps, einem auf dem Halbleiterkörper (1, 2) vorgesehenen Schottkykontakt (6) und mehreren im Halbleiterkörper (1, 2) unterhalb des Schottkykontaktes (6) gelegenen und wenigstens teilweise an den Schottkykontakt (6) angrenzenden Gebieten (4, 5) des anderen Leitungstyps, wobei der Mindestabstand (D) von der Mitte wenigstens eines der Gebiete (5) des anderen Leitungstyps bis zu einem Bereich des einen Leitungstyps im Halbleiterkörper (1, 2) wesentlich größer ist als der entsprechende Mindestabstand (d) bei übrigen Gebieten (4) des anderen Leitungstyps, dadurch gekennzeichnet, dass der Mindestabstand so gewählt ist, dass durch das wenigstens eine Gebiet (5) die Erzeugung eines bipolaren Injektionsstromes bewirkt wird, und dass die Gebiete (4, 5) des anderen Leitungstyps wenigstens teilweise zusammenhängend gestaltet sind. |
