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Diode mit einem Halbleiterkörper (1), der eine Vorderseite (11) und eine der Vorderseite (11) in einer vertikalen Richtung (z) des Halbleiterkörpers (1) gegenüberliegende Rückseite (12) aufweist, in dem in der vertikalen Richtung (z) ausgehend von der Rückseite (12) hin zur Vorderseite (11) aufeinanderfolgend eine stark n-dotierte Zone (5), eine schwach n-dotierte Zone (4), eine schwach p-dotierte Zone (3) und eine stark p-dotierte Zone (2) angeordnet sind, wobei die schwach p-dotierte Zone (3) in der vertikalen Richtung (z) eine Dicke (d3) aufweist, die mindestens 25% und höchstens 50% der Dicke (d1) des Halbleiterkörpers (1) in vertikaler Richtung (z) beträgt, und wobei die schwach n-dotierte Zone (4) eine minimale Dicke (d4min) von wenigstens 400 μm aufweist.
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