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Modul (11, 12, 61–76) für eine Plasmaversorgungseinrichtung (10, 40, 60) zur Versorgung eines Plasmas für eine Plasmabearbeitung oder einen Gaslaser mit einer Leistung > 500 W bei einer Frequenz im Bereich 1–1000 MHz, mit einem Modulsubstrat (21, 22), auf dem eine oder mehrere Leiterbahnen (23, 24) angeordnet sind und mit zumindest einem auf dem Modul (11, 12, 61–76) angeordneten, mit zumindest einer Leiterbahn (23, 24) verbundenen Galliumnitrid(GaN)-Halbleiterschaltelement (13–16).
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