Halbleiterdünnfilm, Herstellungsverfahren dafür, sowie den Halbleiterdünnfilm aufweisende Solarzelle

摘要

Ein Halbleiterdünnfilm umfassend eine p-leitende Halbleiterverbindungsschicht (13), eine n-leitende Halbleiterverbindungsschicht (12) auf der p-leitenden Halbleiterverbindungsschicht (13), dadurch gekennzeichnet, dass eine n-leitende Halbleiterschicht (14) auf der n-leitenden Halbleiterverbindungsschicht (12) angeordnet ist, die n-leitende Halbleiterverbindungsschicht (12) mindestens je ein Element der Gruppen Ib, IIIb, VIb und II enthält und zwischen den Elementen der Gruppe Ib, Gruppe IIIb und Gruppe VIb in der n-leitenden Halbleiterverbindungsschicht (12) das Verhältnis X:Y:Z besteht bei 0.05≤X≤0.2; 0.25≤Y≤0.4; und 0.45≤Z≤0.65 und die p-leitende Halbleiterverbindungsschicht (13) mindestens ein Element der Gruppen Ib, IIIb und VIb umfasst.