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发明名称
溅镀靶及其制造方法
摘要
为了提供一种可藉由溅镀法形成良好地添加Na之Cu-Ga膜之溅镀靶及其制造方法。;溅镀靶具有以下的成分组成:溅镀靶中除了氟(F)以外的金属成分,是含有Ga:20~40at%、Na:0.05~1at%,剩余部分为Cu及不可避免的杂质所构成,且Na是以NaF化合物的状态来含有。此外,制作该溅镀靶之方法,具备以下步骤:形成由NaF粉末和Cu-Ga粉末之混合粉末、或NaF粉末和Cu-Ga粉末和Cu粉末之混合粉末所构成的成形体,然后在真空、非活性气体或还原气氛中进行热压烧结的步骤。
申请公布号
TWI360583
申请公布日期
2012.03.21
申请号
TW099138182
申请日期
2010.11.05
申请人
三菱综合材料股份有限公司 日本
发明人
张守斌;白井孝典
分类号
C23C14/34
主分类号
C23C14/34
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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