| 发明名称 |
残余层厚度之测量及校正 |
| 摘要 |
在奈米压印微影术中甚为重要的是须检测出形成于一基材上之一残余层的厚度不均一处。该等不均一处会被补偿俾使一均匀的残余层能被形成。该补偿系藉计算一校正的流体细滴图案来执行。 |
| 申请公布号 |
TWI360835 |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
| 申请号 |
TW096111821 |
申请日期 |
2007.04.03 |
| 申请人 |
分子压模公司 美国 |
发明人 |
强尼斯 克里斯多夫Ｅ;库斯纳迪诺夫 尼耶兹;强生 史蒂芬Ｃ;舒玛克 菲力普Ｄ;莱德 班克杰Ｂ |
| 分类号 |
H01L21/027;G03F1/00 |
主分类号 |
H01L21/027 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
