发明名称 具氧化锌缓冲层之磊晶基板结构
摘要 一种具氧化锌缓冲层之磊晶基板结构,系选择一铝酸锂(LiAlO2)作为基板,并在该铝酸锂基板上成长一单晶薄膜之氧化锌(ZnO)缓冲层,藉此,利用该铝酸锂基板上所成长之非极性(non-polar)氧化锌,及其结构间之相似性,使氧化锌具同一方向以有效消除量子局限史塔克效应(Quantum Confined Stark Effect,QCSE),进而达到晶格匹配(lattice match)并获得良好之晶体介面品质,以提升发光效率及后续完成之元件性能。另亦可进一步植入异质接面、多重量子井(Multiple Quantum Well,MQW)或超晶格等低维结构结合为一光电元件,如发光二极体、压电材料或雷射二极体等,以提升发光效率。
申请公布号 TWI360866 申请公布日期 2012.03.21
申请号 TW096110017 申请日期 2007.03.22
申请人 国立中山大学 高雄市鼓山区莲海路70号;中美矽晶制品股份有限公司 新竹市工业东二路8号 发明人 周明奇;吴季珍;徐文庆
分类号 H01L21/84 主分类号 H01L21/84
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项
地址 新竹市工业东二路8号