半导体装置的制造方法

摘要

本发明之课题在于提供一种可缩小薄膜电阻的变动之雷射退火方法。;本发明之解决手段为：在比半导体材料所构成之基板的深度100nm更浅的表层部，添加杂质。将从雷射二极体激发型全固体雷射振荡器射出的雷射光或高谐波光束，照射在上述基板上，且令上述杂质活性化。