发明名称 场发射体及其制备方法
摘要 一种场发射体,该场发射体包括一基底、一阴极层位于该基底表面及一奈米碳管复合层位于上述阴极层表面,其中,该奈米碳管复合层的表面包括至少一个突起部,该突起部包括至少一个奈米碳管从突起部突出。一种场发射体的制备方法,其包括以下步骤:提供一奈米碳管浆料;提供一基底及一阴极层,该阴极层形成于该基底上;将上述奈米碳管浆料涂敷于该阴极层上,形成一奈米碳管复合层于阴极层上;以一定功率和扫描速度的镭射照射奈米碳管复合层表面形成场发射体。
申请公布号 TWI360829 申请公布日期 2012.03.21
申请号 TW096137480 申请日期 2007.10.05
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 陈卓;朱峰;姜开利;刘亮;范守善
分类号 H01J31/12;H01J9/02 主分类号 H01J31/12
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号