发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一种发光二极体(10)包含透明基底以及含有发光部(12)之化合物半导体层,该发光部含有由(AlxGa1-x)YIn1-YP所形成的发光层(133),其中0<=X<=1以及0<=Y<=1,并且该化合物半导体层系连接至该透明基底(14)。其中该发光二极体(10)在其之主要光撷取表面上具有第一电极(15)以及与该第一电极不同极性之第二电极(16),该透明基底具有多个侧面,其为第一侧面(142)以及第二侧面(143),该第一侧面在接近该发光层的侧上与该发光层的发光表面大约垂直,以及该第二侧面在与该发光层远离之侧上相对于该发光表面呈倾斜并以落在0.05μm至3μm的范围内之不规则物粗糙化。在光撷取表面上设有二个电极的发光二极体可实现高光撷取效率以及高亮度。
申请公布号 TWI360898 申请公布日期 2012.03.21
申请号 TW096102354 申请日期 2007.01.22
申请人 昭和电工股份有限公司 日本 发明人 锅仓亘
分类号 H01L33/02 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本