| 摘要 |
本发明是提供一种发光二极体之制造方法，其特征为包括有以下的步骤：将n型半导体层及发光层及p型半导体层依序积层在基板上而形成积层半导体层，并且将复数个反射性p型电极形成在前述p型半导体层上之积层步骤、及以覆盖前述反射性p型电极及前述p型半导体层的方式形成晶种层(seed layer)，再在前述晶种层上形成电镀层之电镀步骤、及从前述n型半导体层除去前述基板，让前述n型半导体层露出光取出面之除去步骤、及利用含有与前述n型半导体层中的掺杂元素相同的元素之蚀刻气体，对前述n型半导体层的前述光取出面施予乾式蚀刻后，在前述光取出面形成n型电极之电极形成步骤。 |
